3. Para los efectos del presente ordenamiento, se entenderá por: I. Acuerdo de Wassenaar






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De las siguientes fracciones:




9030.33.99

Los demás.




Unicamente: Equipos de ensayo diseñados especialmente para el ensayo de dispositivos semiconductores terminados o no terminados, según se indica, y componentes y accesorios de los mismos diseñados especialmente: para ensayo de parámetros S de dispositivos de transistores a frecuencias superiores a 31.8 GHz.

9030.82.01

Para medida o control de obleas (wafers) o dispositivos, semiconductores.




Unicamente: Equipos de ensayo diseñados especialmente para el ensayo de dispositivos semiconductores terminados o no terminados, según se indica, y componentes y accesorios de los mismos diseñados especialmente: para ensayo de parámetros S de dispositivos de transistores a frecuencias superiores a 31.8 GHz.

9030.89.99

Los demás.




Unicamente: Equipos de ensayo diseñados especialmente para el ensayo de dispositivos semiconductores terminados o no terminados, según se indica, y componentes y accesorios de los mismos diseñados especialmente: para el ensayo de los circuitos integrados de microondas incluidos en el subartículo 3.A.1.b.2.

9031.80.99

Los demás.




Unicamente: Equipos de ensayo diseñados especialmente para el ensayo de dispositivos semiconductores terminados o no terminados, según se indica, y componentes y accesorios de los mismos diseñados especialmente: para el ensayo de los circuitos integrados de microondas incluidos en el subartículo 3.A.1.b.2.

3.C. Materiales




Grupo 3.C.1

Materiales hetero-epitaxiales consistentes en un sustrato con capas múltiples apiladas obtenidas por crecimiento epitaxial de cualquiera de los siguientes productos:

a. Silicio (Si)

b. Germanio (Ge)

c. Carburo de silicio (SiC); o

d. Compuestos III/V de galio o indio.

De la siguiente fracción:




3818.00.01

Elementos químicos dopados para uso en electrónica, en discos, obleas (wafers) o formas análogas; compuestos químicos dopados para uso en electrónica.




Unicamente: Materiales hetero-epitaxiales consistentes en un sustrato con capas múltiples apiladas obtenidas por crecimiento epitaxial de: Silicio (Si); Germanio (Ge); Carburo de silicio (SiC); o Compuestos III/V de galio o indio.




Grupo 3.C.2.

Materiales de protección (resists), según se indica, y sustratos revestidos con los materiales de protección(resists) siguientes:

a. Materiales de protección (resists) positivos para litografía en semiconductores ajustados especialmente (optimizados) para su utilización a longitudes de onda inferiores a 245 nm;

b. Todos los materiales de protección (resists) destinados a su utilización con haces de electrones o haces iónicos, y que tengan una sensibilidad de 0.01 µculombios/mm2 o mejor;

c. Todos los materiales de protección (resists) destinados a su utilización con rayos X y que tengan una sensibilidad de 2.5 mJ/mm2 o mejor;

d. Todos los materiales de protección (resists) optimizados para tecnologías de formación de imágenes de superficie, incluidos los materiales de protección (resists) sililados;

e. Todos los materiales de protección (resists) diseñados u optimizados para ser utilizados en los equipos de impresión litográfica incluidos en el subartículo 3.B.1.f.2. que utilicen un procedimiento térmico o fotocurable.

Nota técnica:

Los métodos de sililación se definen como procesos que incluyen la oxidación de la superficie del material de protección con el fin de mejorar la realización del revelado tanto en húmedo como en seco.

De las siguientes fracciones:




3707.10.01

Emulsiones para sensibilizar superficies.




Unicamente: Materiales de protección (resists), según se indica, y sustratos revestidos con los materiales de protección (resists) siguientes: a. Materiales de protección (resists) positivos para litografía en semiconductores ajustados especialmente (optimizados) para su utilización a longitudes de onda inferiores a 245 nm; b. Todos los materiales de protección (resists) destinados a su utilización con haces de electrones o haces iónicos, y que tengan una sensibilidad de 0.01 µculombios/mm2 o mejor; c. Todos los materiales de protección (resists) destinados a su utilización con rayos X y que tengan una sensibilidad de mJ/mm2 o mejor; d. Todos los materiales de protección (resists) optimizados para tecnologías de formación de imágenes de superficie, incluidos los materiales de protección (resists) sililados; o e. Todos los materiales de protección (resists) diseñados u optimizados para ser utilizados en los equipos de impresión litográfica incluidos en el subartículo 3.B.1.f.2. que utilicen un procedimiento térmico o fotocurable.

3905.99.99

Los demás.




Unicamente: Materiales de protección (resists), según se indica, y sustratos revestidos con los materiales de protección (resists) siguientes: a. Materiales de protección (resists) positivos para litografía en semiconductores ajustados especialmente (optimizados) para su utilización a longitudes de onda inferiores a 245 nm; b. Todos los materiales de protección (resists) destinados a su utilización con haces de electrones o haces iónicos, y que tengan una sensibilidad de 0.01 µculombios/mm2 o mejor; c. Todos los materiales de protección (resists) destinados a su utilización con rayos X y que tengan una sensibilidad de mJ/mm2 o mejor; d. Todos los materiales de protección (resists) optimizados para tecnologías de formación de imágenes de superficie, incluidos los materiales de protección (resists) sililados; o e. Todos los materiales de protección (resists) diseñados u optimizados para ser utilizados en los equipos de impresión litográfica incluidos en el subartículo 3.B.1.f.2. que utilicen un procedimiento térmico o fotocurable.




Grupo 3.C.3.

Compuestos órgano-inorgánicos según se indica:

a. Compuestos organometálicos de aluminio, de galio o de indio, con una pureza (del metal) superior al 99.999 %;

b. Compuestos organoarsénicos, organoantimónicos y organofosfóricos, con una pureza (del elemento inorgánico) superior a 99.999 %.

Nota: El artículo 3.C.3 sólo somete a control los compuestos cuyo componente metálico, parcialmente metálico o no metálico está directamente enlazado al carbono en la parte orgánica de la molécula.

De la siguiente fracción:




2931.00.99

Los demás.




Unicamente: Compuestos organometálicos de aluminio, de galio o de indio, con una pureza (del metal) superior al 99.999 %; y Compuestos organoarsénicos, organoantimónicos y organofosfóricos, con una pureza (del elemento inorgánico) superior a 99.999 %.




Grupo 3.C.4.

Hidruros de fósforo, de arsénico o de antimonio con una pureza superior al 99.999 %, incluso diluidos engases inertes o de hidrógeno.

Nota: El artículo 3.C.4 no somete a control los hidruros que contienen el 20 % molar o más.

De la siguiente fracción:




2850.00.99

Los demás.




Unicamente: Hidruros de fósforo, de arsénico o de antimonio con una pureza superior al 99.999 %, incluso diluidos engases inertes o de hidrógeno.




Grupo 3.C.5.

Sustratos de carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN), nitruro de aluminio (AlN) o nitruro de galio-aluminio (AlGaN), o lingotes, compuestos sintéticos boules u otras preformas de dichos materiales, con resistividades superiores a 10,000 ohm-cm a 20 °C.

De las siguientes fracciones:




3818.00.01

Elementos químicos dopados para uso en electrónica, en discos, obleas (wafers) o formas análogas; compuestos químicos dopados para uso en electrónica.




Unicamente: Sustratos de carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN), nitruro de aluminio (AlN) o nitruro de galio-aluminio (AlGaN), o lingotes, compuestos sintéticos boules u otras preformas de dichos materiales, con resistividades superiores a 10,000 ohm-cm a 20 °C.

8541.90.99

Las demás.




Unicamente: De sustratos de carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN), nitruro de aluminio (AlN) o nitruro de galio-aluminio (AlGaN), o lingotes, compuestos sintéticos boules u otras preformas de dichos materiales, con resistividades superiores a 10,000 ohm-cm a 20 °C.

2850.00.99

Los demás.




Unicamente: Nitruro de galio (GaN), nitruro de aluminio (AlN) o nitruro de galio-aluminio (AlGaN), o lingotes, compuestos sintéticos boules u otras preformas de dichos materiales, con resistividades superiores a 10,000 ohm-cm a 20 °C.




Grupo 3.C.6.

Sustratos incluidos en el artículo 3.C.5 con al menos una capa epitaxial de carburo de silicio, nitruro de galio, nitruro de aluminio o nitruro de galio-aluminio.

De la siguiente fracción:




3818.00.01

Elementos químicos dopados para uso en electrónica, en discos, obleas (wafers) o formas análogas; compuestos químicos dopados para uso en electrónica.




Unicamente: Sustratos incluidos en el artículo 3.C.5 con al menos una capa epitaxial de carburo de silicio, nitruro de galio, nitruro de aluminio o nitruro de galio-aluminio.







CATEGORIA 4: COMPUTADORAS

Nota 1: Los ordenadores, el equipo conexo y el software que realicen funciones de telecomunicaciones o de redes de área local deberán evaluarse también con arreglo a las características de funcionamiento definidas en la Categoría 5, primera parte (Telecomunicaciones).

Nota 2: Las unidades de control que interconectan directamente los buses o canales de las unidades centrales de proceso, de la memoria principal o de controladores de discos no se consideran equipos de telecomunicaciones descritos en la Categoría 5, primera parte (Telecomunicaciones).

N.B.: Para lo relacionado con el régimen de control del software diseñado especialmente para la conmutación de paquetes, véase la categoría 5.D.1 (Telecomunicaciones)

Nota 3: Los ordenadores, el equipo conexo y el software que realicen funciones criptográficas, criptoanalíticas, de seguridad multinivel certificable o de aislamiento del usuario certificable, o que limiten la compatibilidad electromagnética (EMC), también se deberán evaluar con arreglo a las características de funcionamiento definidas en la Categoría 5, parte 2 (Seguridad de la información).
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