3. Para los efectos del presente ordenamiento, se entenderá por: I. Acuerdo de Wassenaar






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título3. Para los efectos del presente ordenamiento, se entenderá por: I. Acuerdo de Wassenaar
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Notas técnicas:

1. A los efectos de 3.B.1.e., herramientas de proceso del semiconductor se refiere a las herramientas modulares que proporcionan los procesos físicos para la producción de semiconductores funcionalmente distintos, tales como la deposición, grabado, implante o del proceso de cocción.

2. A los efectos de 3.B.1.e., el tratamiento secuencial múltiple de las obleas: es la capacidad para procesar cada oblea en diferentes herramientas de proceso de semiconductores, mediante la transferencia de cada oblea de una herramienta a una segunda herramienta y luego a otra herramienta con la carga automática de cámaras múltiples de sistemas centrales de manipulación de obleas.

f. Equipos de litografía según se indica:

1. Equipos de alineación y exposición, por paso y repetición (paso directo en la oblea) o por paso y exploración (explorador), para el proceso de obleas utilizando métodos foto ópticos o de rayos X y que tengan cualquiera de las características siguientes:

a. Longitud de onda de la fuente luminosa inferior a 245 nm; o

b. Capacidad de producir un patrón cuyo tamaño de la característica resoluble mínima sea igual o inferior a 95 nm;

Nota técnica:

El tamaño de la característica resoluble mínima se calcula mediante la siguiente fórmula:

CRM = (longitud de onda de la fuente de luz para la exposición en nm) × (factor K)

apertura numérica

siendo el factor K = 0.35

2. Equipos de impresión litografía que puedan producir características de 95 nm de base o menos:

Nota: 3.B.1.f.2. incluye:

- Instrumentos de impresión por micro contacto

- Instrumentos de troquelado en caliente

- Instrumentos de nanoimpresión litográfica

- Instrumentos de impresión litográfica S-FIL (step and flash)

3. Equipos diseñados especialmente para la fabricación de máscaras o el proceso de dispositivos semiconductores utilizando métodos de escritura directa, que cumplan todo lo siguiente:

a. Que utilicen un haz de electrones, un haz de iones o un haz láser, enfocado y desviable, y

b. Que tengan cualquiera de las características siguientes:

1. Tamaño del haz en el impacto spot inferior a 0.2 micras;

2. Capacidad de producir un patrón en el que el tamaño de la característica sea inferior a 1 µm; o

3. Exactitud de recubrimiento mejor que ± 0.20 micras (3 sigma);

g. Máscaras y retículas diseñadas para circuitos integrados incluidos en el artículo 3.A.1;

h. Máscaras multicapas con una capa de cambio de fase.

Nota: El subartículo 3.B.1.h. no somete a control las máscaras multicapas con una capa de cambio de fase, diseñadas para la fabricación de dispositivos de memoria no sometidos a control por el artículo 3.A.1.

i. Plantillas para impresión litográfica diseñadas para circuitos integrados especificados en 3.A.1.

De las siguientes fracciones:




8419.90.99

Los demás.




Unicamente: Para reactores de deposición química en fase vapor de organometálicos (MOCVD) diseñados especialmente para el crecimiento de cristales de semiconductores compuestos mediante reacción química entre materiales incluidos en los artículos 3.C.3 ó 3.C.4, o equipos de crecimiento epitaxial de haz molecular que utilicen fuentes sólidas o gaseosas.

8486.10.01

Máquinas y aparatos para la fabricación de semiconductores en forma de monocristales periformes u obleas (wafers).




Unicamente: Equipos capaces de producir una capa de cualquier material distinto al silicio con espesor uniforme con una precisión de ± 2.5 % sobre una distancia igual o superior a 75 mm.

8486.20.01

Máquinas y aparatos para la fabricación de dispositivos semiconductores o circuitos electrónicos integrados.




Unicamente: Equipos capaces de producir una capa de cualquier material distinto al silicio con espesor uniforme con una precisión de ± 2.5 % sobre una distancia igual o superior a 75 mm.

8486.90.01

Partes y accesorios reconocibles exclusivamente para lo comprendido en la fracción 8486.10.01.




Unicamente: Para equipos capaces de producir una capa de cualquier material distinto al silicio con espesor uniforme con una precisión de ± 2.5 % sobre una distancia igual o superior a 75 mm.

8486.20.01

Máquinas y aparatos para la fabricación de dispositivos semiconductores o circuitos electrónicos integrados.




Unicamente: Equipos diseñados para la implantación iónica y que tengan cualquiera de las características siguientes: 1. una energía del haz (tensión de aceleración) superior a 1 MeV; 2. diseñados especialmente y optimizados para funcionar a una energía del haz (tensión de aceleración) inferior a 2 keV; 3. capacidad de escritura directa; o 4. una energía del haz igual o superior a 65 keV y una corriente del haz igual o superior a 45 mA para la implantación, a alta energía, de oxígeno en un sustrato de material semiconductor calentado.

8486.20.01

Máquinas y aparatos para la fabricación de dispositivos semiconductores o circuitos electrónicos integrados.




Unicamente: Equipos de deposición química en fase vapor (CVD) asistida por plasma: 1) Equipos con funcionamiento casete-a-casete y bloqueos de carga, diseñados de conformidad con las especificaciones del fabricante u optimizados para ser utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores con unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 65 nm; 2) Equipos diseñados especialmente para el equipo incluido en el subartículo 3.B.1.e. y diseñados de conformidad con las especificaciones del fabricante u optimizados para ser utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores con unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 65 nm.

8419.89.99

Los demás.




Unicamente: Equipos con funcionamiento casete-a-casete y bloqueos de carga, diseñados de conformidad con las especificaciones del fabricante u optimizados para ser utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores con unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 65 nm.

8419.90.99

Los demás.




Unicamente: Equipos con funcionamiento casete-a-casete y bloqueos de carga, diseñados de conformidad con las especificaciones del fabricante u optimizados para ser utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores con unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 65 nm.

8486.20.01

Máquinas y aparatos para la fabricación de dispositivos semiconductores o circuitos electrónicos integrados.




Unicamente: Equipos diseñados especialmente para el equipo incluido en el subartículo 3.B.1.e. y diseñados de conformidad con las especificaciones del fabricante u optimizados para ser utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores con unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 65 nm.

8486.90.02

Partes y accesorios reconocibles exclusivamente para lo comprendido en la fracción 8486.20.01.




Unicamente: Para equipos diseñados especialmente para el equipo incluido en el subartículo 3.B.1.e. y diseñados de conformidad con las especificaciones del fabricante u optimizados para ser utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores con unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 65 nm.

8479.89.99

Los demás.




Unicamente: Sistemas centrales de manipulación de obleas para la carga automática de cámaras múltiples que tengan las características siguientes: 1. Interfaces para la entrada y salida de obleas, a los que hayan de conectarse más de dos partes de equipos de proceso de semiconductores especificados por 3.B.1.a., 3.B.1.b., 3.B.1.c. o 3.B.1.d.; y 2. Diseñados para formar un sistema integrado en un ambiente bajo vacío para el tratamiento secuencial múltiple de las obleas.

8479.90.99

Los demás.




Unicamente: Para sistemas centrales de manipulación de obleas para la carga automática de cámaras múltiples que tengan las características siguientes: 1. Interfaces para la entrada y salida de obleas, a los que hayan de conectarse más de dos partes de equipos de proceso de semiconductores; y 2. Diseñados para formar un sistema integrado en un ambiente bajo vacío para el tratamiento secuencial múltiple de las obleas.

8486.40.01

Máquinas y aparatos descritos en la Nota 9 C) de este Capítulo.




Unicamente: Sistemas centrales de manipulación de obleas para la carga automática de cámaras múltiples que tengan las características siguientes: 1. Interfaces para la entrada y salida de obleas, a los que hayan de conectarse más de dos partes de equipos de proceso de semiconductores; y 2. Diseñados para formar un sistema integrado en un ambiente bajo vacío para el tratamiento secuencial múltiple de las obleas.

8486.20.01

Máquinas y aparatos para la fabricación de dispositivos semiconductores o circuitos electrónicos integrados.




Unicamente: Equipos diseñados especialmente para la fabricación de máscaras o el proceso de dispositivos semiconductores utilizando métodos de escritura directa, que cumplan todo lo siguiente: a. Que utilicen un haz de electrones, un haz de iones o un haz láser, enfocado y desviable, y b. que tengan cualquiera de las características siguientes: 1) tamaño del haz en el impacto spot inferior a 0.2 micras; 2) capacidad de producir un patrón en el que el tamaño de la característica sea inferior a 1 µm; y 3) exactitud de recubrimiento mejor que ± 0.20 micras (3 sigma).

8486.40.01

Máquinas y aparatos descritos en la Nota 9 C) de este Capítulo.




Unicamente: Equipos de alineación y exposición, por paso y repetición (paso directo en la oblea) o por paso y exploración (explorador), para el proceso de obleas utilizando métodos foto ópticos o de rayos X y que tengan cualquiera de las características siguientes: a. longitud de onda de la fuente luminosa inferior a 245 nm; o b. Capacidad de producir un patrón cuyo tamaño de la característica resoluble mínima sea igualo inferior a 95 nm.




Grupo 3.B.2

Equipos de ensayo diseñados especialmente para el ensayo de dispositivos semiconductores terminados o no terminados, según se indica, y componentes y accesorios de los mismos diseñados especialmente:

a. Para ensayo de parámetros S de dispositivos de transistores a frecuencias superiores a 31.8 GHz;

b. Sin uso desde 2004.

c. Para el ensayo de los circuitos integrados de microondas incluidos en el subartículo 3.A.1.b.2.
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