3. Para los efectos del presente ordenamiento, se entenderá por: I. Acuerdo de Wassenaar






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De las siguientes fracciones:




8471.70.01

Unidades de memoria.




Unicamente: Para equipos de grabación analógica en cinta magnética para instrumentación, incluidos los que permitan la grabación de señales digitales y que tengan cualquiera de la siguientes características: a. Ancho de banda superior a 4 MHz por canal o pista electrónicos; b. Ancho de banda superior a 2 MHz por canal o pista electrónicos y que tengan más de 42 pistas; o c. Error (de base) de desplazamiento de tiempo, medido de acuerdo con los documentos IRIG(Inter Range Instrumentation Group) o EIA (Electronic Industries Association) pertinentes, inferior a ± 0.1 μs; Equipos de grabación digital de vídeo en cinta magnética que tengan una velocidad máxima de transferencia en la interfaz digital superior a 360 Mbit/s; Equipos de grabación de datos digitales en cinta magnética para instrumentación, que empleen técnicas de exploración helicoidal o de cabeza fija y que tengan cualquiera de las características siguientes: a. Velocidad máxima de transferencia en la interfaz digital superior a 175 Mbit/s; o b. Calificados para uso espacial; o Equipos de grabación de datos digitales para instrumentación que empleen una técnica de almacenamiento en disco magnético y que cumplan con lo siguiente: a. Tasa de digitalización igual o superior a 100 millones de muestras por segundo y una resolución de 8 bits o superior; y b. Tránsito continuo (continuous throughput) superior a 1 Gbit/s o superior.

8471.90.99

Los demás.




Unicamente: Para equipos de grabación analógica en cinta magnética para instrumentación, incluidos los que permitan la grabación de señales digitales y que tengan cualquiera de la siguientes características: a. Ancho de banda superior a 4 MHz por canal o pista electrónicos; b. Ancho de banda superior a 2 MHz por canal o pista electrónicos y que tengan más de 42 pistas; o c. Error (de base) de desplazamiento de tiempo, medido de acuerdo con los documentos IRIG(Inter Range Instrumentation Group) o EIA (Electronic Industries Association) pertinentes, inferior a ± 0.1 μs; Equipos de grabación digital de vídeo en cinta magnética que tengan una velocidad máxima de transferencia en la interfaz digital superior a 360 Mbit/s; Equipos de grabación de datos digitales en cinta magnética para instrumentación, que empleen técnicas de exploración helicoidal o de cabeza fija y que tengan cualquiera de las características siguientes: a. Velocidad máxima de transferencia en la interfaz digital superior a 175 Mbit/s; o b. Calificados para uso espacial; o Equipos de grabación de datos digitales para instrumentación que empleen una técnica de almacenamiento en disco magnético y que cumplan con lo siguiente: a. Tasa de digitalización igual o superior a 100 millones de muestras por segundo y una resolución de 8 bits o superior; y b. Tránsito continuo (continuous throughput) superior a 1 Gbit/s o superior.

8521.10.99

Los demás.




Unicamente: Equipos de grabación digital de vídeo en cinta magnética que tengan una velocidad máxima de transferencia en la interfaz digital superior a 360 Mbit/s.

8522.90.99

Los demás.




Unicamente: Para equipos de grabación digital de vídeo en cinta magnética que tengan una velocidad máxima de transferencia en la interfaz digital superior a 360 Mbit/s.

8543.70.99

Los demás




Unicamente: Equipos de grabación de datos digitales para instrumentación que empleen una técnica de almacenamiento en disco magnético y que cumplan todo lo siguiente: a) Tasa de digitalización igual o superior a 100 millones de muestras por segundo y una resolución de 8 bits o superior; y b) Tránsito continuo (continuous throughput) superior a 1 Gbit/s o superior.

8543.20.99

Los demás.




Unicamente: Generadores de señales de frecuencia sintetizada que produzcan frecuencias de salida cuya exactitud y cuya estabilidad a corto y largo plazo estén controladas por, derivadas de o regidas por el oscilador maestro interno de referencia y que tengan cualquiera de las características siguientes: 1) Especificados para generar una duración de impulso de menos de 100 ns en cualquier lugar dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 31,8 GHz pero no superior a 70 GHz; 2) Una potencia de salida superior a 100 mW (20 dBm) en cualquier lugar dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 43.5 GHz pero no superior a 70 GHz; 3) Un tiempo de conmutación de frecuencias, especificado por alguna de las siguientes características: a. inferior a 312 ps; b. inferior a 100 μs para cualquier cambio de frecuencia superior a 1.6 GHz dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 3.2 GHz, pero que no supere los 10.6 GHz; c. inferior a 250 μs para cualquier cambio de frecuencia superior a 550 MHz dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 10.6 GHz, pero que no supere los 31.8 GHz; d. inferior a 500 μs para cualquier cambio de frecuencia superior a 550 MHz dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 31.8 GHz, pero que no supere los 43.5 GHz; e. Menos de 1 ms para cualquier cambio de frecuencia superior a 550 MHz dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 43.5 GHz pero no superior a 56 GHz, o f. Menos de 1 ms para cualquier cambio de frecuencia superior a 2.2 GHz en el rango de frecuencia sintetizada superior a 56 GHz pero no superior a 70 GHz; 4) Una frecuencia sintetizada máxima superior a 3.2 GHz, que tenga las características siguientes: a. Ruido de fase en banda lateral única (SSB), expresado en dBc/Hz, mejor que –(126 + 20log10F –20 log10f), siendo 10 Hzb. Ruido de fase en banda lateral única (SSB), expresado en dBc/Hz, mejor que –(114 + 20log10F — 20log10f), siendo 10 kHz < F<500 kHz; o 5) Una frecuencia máxima sintetizada superior a 70 GHz .

8543.70.99

Los demás.




Unicamente: Generadores de señales de frecuencia sintetizada que produzcan frecuencias de salida cuya exactitud y cuya estabilidad a corto y largo plazo estén controladas por, derivadas de o regidas por el oscilador maestro interno de referencia y que tengan cualquiera de las características siguientes: 1) Especificados para generar una duración de impulso de menos de 100 ns en cualquier lugar dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 31,8 GHz pero no superior a 70 GHz; 2) Una potencia de salida superior a 100 mW (20 dBm) en cualquier lugar dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 43.5 GHz pero no superior a 70 GHz; 3) Un tiempo de conmutación de frecuencias, especificado por alguna de las siguientes características: a. inferior a 312 ps; b. inferior a 100 μs para cualquier cambio de frecuencia superior a 1.6 GHz dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 3.2 GHz, pero que no supere los 10.6 GHz; c. inferior a 250 μs para cualquier cambio de frecuencia superior a 550 MHz dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 10.6 GHz, pero que no supere los 31.8 GHz; d. inferior a 500 μs para cualquier cambio de frecuencia superior a 550 MHz dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 31.8 GHz, pero que no supere los 43.5 GHz; e. Menos de 1 ms para cualquier cambio de frecuencia superior a 550 MHz dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 43.5 GHz pero no superior a 56 GHz, o f. Menos de 1 ms para cualquier cambio de frecuencia superior a 2.2 GHz en el rango de frecuencia sintetizada superior a 56 GHz pero no superior a 70 GHz; 4) Una frecuencia sintetizada máxima superior a 3.2 GHz, que tenga las características siguientes: a. Ruido de fase en banda lateral única (SSB), expresado en dBc/Hz, mejor que –(126 + 20log10F –20 log10f), siendo 10 Hzb. Ruido de fase en banda lateral única (SSB), expresado en dBc/Hz, mejor que –(114 + 20log10F — 20log10f), siendo 10 kHz < F<500 kHz; o 5) Una frecuencia máxima sintetizada superior a 70 GHz .

8543.70.99

Los demás.




Unicamente: Analizadores de redes que tengan cualquiera de las siguientes características: máxima frecuencia de funcionamiento superiores a 43.5 GHz y potencia de salida superior a 31.62 mW (15 dBm), o frecuencia máxima de funcionamiento superior a 70 GHz.

8543.70.99

Los demás.




Unicamente: Receptores de prueba de microondas que tengan: Frecuencia máxima de funcionamiento superior a 43.5 GHz, y capacidad para medir simultáneamente la amplitud y la fase.

8523.52.02

Partes.




Unicamente: Para patrones de frecuencia atómicos que sean: 1) calificados para uso espacial; 2) que no sean patrones de rubidio y tengan una estabilidad a largo plazo inferior a (mejor que)1 × 10 –11/mes; o 3) no calificados para uso espacial y que cumplan todo lo siguiente: a. que sea un patrón de rubidio; b. estabilidad a largo plazo inferior a (mejor que) 1 × 10 –11/mes; y c. consumo de potencia total inferior a 1 W.

8543.70.99

Los demás.




Unicamente: Para patrones de frecuencia atómicos que sean: 1) calificados para uso espacial; 2) que no sean patrones de rubidio y tengan una estabilidad a largo plazo inferior a (mejor que)1 × 10 –11/mes; o 3) no calificados para uso espacial y que cumplan todo lo siguiente: a. que sea un patrón de rubidio; b. estabilidad a largo plazo inferior a (mejor que) 1 × 10 –11/mes; y c. consumo de potencia total inferior a 1 W.




Grupo 3.A.3.

Sistemas de control térmico mediante enfriamiento por pulverización (spray cooling) que utilicen equipos de tratamiento y reacondicionamiento del fluido en circuito cerrado en el interior de una cámara estanca en la que se pulveriza un fluido dieléctrico sobre los componentes electrónicos mediante boquillas aspersoras diseñadas especialmente con el fin de mantener dichos componentes electrónicos dentro de su gama de temperaturas de funcionamiento, y los componentes diseñados especialmente para ellos.

De las siguientes fracciónes:




8424.89.99

Los demás.




Unicamente: Sistemas de control térmico mediante enfriamiento por pulverización (spray cooling) que utilicen equipos de tratamiento y reacondicionamiento del fluido en circuito cerrado en el interior de una cámara estanca en la que se pulveriza un fluido dieléctrico sobre los componentes electrónicos mediante boquillas aspersoras diseñadas especialmente con el fin de mantener dichos componentes electrónicos dentro de su gama de temperaturas de funcionamiento, y los componentes diseñados especialmente para ellos.

3.B. Equipo de producción, pruebas e inspección




Grupo 3.B.1.

Equipos para la fabricación de dispositivos o de materiales semiconductores, según se indica, y componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos:

a. Equipos diseñados para crecimiento epitaxial según se indica:

1. Equipos capaces de producir una capa de cualquier material distinto al silicio con espesor uniforme con una precisión de ± 2.5 % sobre una distancia igual o superior a 75 mm;

Nota: El subartículo 3.B.1.a.1 incluye los equipos de epitaxia a capas atómicas (ALE).

2. Reactores de deposición química en fase vapor de organometálicos (MOCVD) diseñados especialmente para el crecimiento de cristales de semiconductores compuestos mediante reacción química entre materiales incluidos en los artículos 3.C.3 ó 3.C.4;

3. Equipos de crecimiento epitaxial de haz molecular que utilicen fuentes sólidas o gaseosas.

b. Equipos diseñados para la implantación iónica y que tengan cualquiera de las características siguientes:

1. Una energía del haz (tensión de aceleración) superior a 1 MeV;

2. Diseñados especialmente y optimizados para funcionar a una energía del haz (tensión de aceleración) inferior a 2 keV;

3. Capacidad de escritura directa; o

4. Una energía del haz igual o superior a 65 keV y una corriente del haz igual o superior a 45 mA para la implantación, a alta energía, de oxígeno en un sustrato de material semiconductor calentado.

c. Equipos para el grabado, por plasma anisotrópico en seco según se indica:

1. Diseñados u optimizados para producir unas dimensiones críticas de 65 nm o menos, y

2. Dentro de la oblea de la falta de uniformidad igual o inferior a 10 3σ% medido con una exclusión del borde de 2 mm o menos;

d. Equipos de deposición química en fase vapor (CVD) asistida por plasma según se indica:

1. Equipos con funcionamiento casete-a-casete y bloqueos de carga, diseñados de conformidad con las especificaciones del fabricante u optimizados para ser utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores con unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 65 nm;

2. Equipos diseñados especialmente para el equipo incluido en el subartículo 3.B.1.e. y diseñados de conformidad con las especificaciones del fabricante u optimizados para ser utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores con unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 65 nm;

e. Sistemas centrales de manipulación de obleas para la carga automática de cámaras múltiples que tengan las características siguientes:

1. Interfaces para la entrada y salida de obleas, a los que hayan de conectarse más de dos partes de equipos de proceso de semiconductores especificados por 3.B.1.a., 3.B.1.b., 3.B.1.c. o 3.B.1.d.; y

2. Diseñados para formar un sistema integrado en un ambiente bajo vacío para el tratamiento secuencial múltiple de las obleas.

Nota: El subartículo 3.B.1.e. no somete a control los sistemas robotizados automáticos de manipulación de obleas que no estén especialmente diseñados para el procesamiento de la oblea paralela.
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